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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
gewinnen | 10.5dB ~ 14dB |
Leistung - max. | 600mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 35mA, 8V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 80mA |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | Die |
Lieferantengerätepaket | Chip |
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