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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschmaß (db typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| gewinnen | 12dB |
| Leistung - max. | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
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