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NE3515S02-A

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NE3515S02-A

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CEL

FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

NE3515S02-A Technisches Datenblatt

nicht konform

NE3515S02-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp HFET
Frequenz 12GHz
gewinnen 12.5dB
Spannungsprüfung 2 V
Nennstrom (Ampere) 88mA
Rauschzahl 0.3dB
aktuell - test 10 mA
Leistung - Leistung 14dBm
Spannung - Nenn 4 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket S02
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Zugehörige Teilenummer

MRF7S18125AHSR3
NXP USA Inc.
MRF7S18125AHSR3
$0 $/Stück
BLF6G27-10GHJ
Ampleon USA Inc.
BLF6G27-10GHJ
$0 $/Stück
J300
onsemi
J300
$0 $/Stück
BLF6G20-45,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G20-45,112
$0 $/Stück
ATF-331M4-BLK
Broadcom Limited
ATF-331M4-BLK
$0 $/Stück
BLF6G38-10,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G38-10,112
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MRF8S9220HR5
NXP USA Inc.
MRF8S9220HR5
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PTFA192401EV4R250FTMA1
Infineon Technologies
PTFA192401EV4R250FTMA1
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