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NE3516S02-A

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NE3516S02-A

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CEL

IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

NE3516S02-A Technisches Datenblatt

nicht konform

NE3516S02-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp N-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz 12GHz
gewinnen 14dB
Spannungsprüfung 2 V
Nennstrom (Ampere) 60mA
Rauschzahl 0.35dB
aktuell - test 10 mA
Leistung - Leistung 165mW
Spannung - Nenn 4 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket S02
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Zugehörige Teilenummer

MRF8S26120HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S26120HSR5
$0 $/Stück
2N5951
onsemi
2N5951
$0 $/Stück
2N3819_D74Z
onsemi
2N3819_D74Z
$0 $/Stück
ARF441
Microsemi Corporation
ARF441
$0 $/Stück
PD84008S-E
STMicroelectronics
PD84008S-E
$0 $/Stück
NE5531079A-T1A-A
CEL
NE5531079A-T1A-A
$0 $/Stück
MMRF2005NR1
NXP USA Inc.
MMRF2005NR1
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ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
$0 $/Stück
PD55035S-E
STMicroelectronics
PD55035S-E
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MRF8S23120HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S23120HSR5
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