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NE3516S02-T1C-A

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NE3516S02-T1C-A

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CEL

IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

NE3516S02-T1C-A Technisches Datenblatt

nicht konform

NE3516S02-T1C-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp N-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz 12GHz
gewinnen 14dB
Spannungsprüfung 2 V
Nennstrom (Ampere) 60mA
Rauschzahl 0.35dB
aktuell - test 10 mA
Leistung - Leistung 165mW
Spannung - Nenn 4 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket S02
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Zugehörige Teilenummer

SD2942
STMicroelectronics
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BF512,235
NXP USA Inc.
BF512,235
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Infineon Technologies
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$0 $/Stück
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PD20010-E
STMicroelectronics
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