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NE5550779A-A

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CEL

FET RF 30V 900MHZ 79A

NE5550779A-A Technisches Datenblatt

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NE5550779A-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 900MHz
gewinnen 22dB
Spannungsprüfung 7.5 V
Nennstrom (Ampere) 2.1A
Rauschzahl -
aktuell - test 140 mA
Leistung - Leistung 38.5dBm
Spannung - Nenn 30 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 79A
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Zugehörige Teilenummer

BF998,215
NXP USA Inc.
BF998,215
$0 $/Stück
PTFA210601F V4 R250
Infineon Technologies
PTFA210601F V4 R250
$0 $/Stück
BLF8G20LS-160VJ
Ampleon USA Inc.
BLF8G20LS-160VJ
$0 $/Stück
BLL1214-250,112
Ampleon USA Inc.
BLL1214-250,112
$0 $/Stück
BLF6G20LS-75,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G20LS-75,112
$0 $/Stück
ATF-52189-BLK
Broadcom Limited
ATF-52189-BLK
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MRF6V13250HR3
NXP USA Inc.
MRF6V13250HR3
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NXP USA Inc.
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MAGX-001220-100L00
MACOM Technology Solutions
MAGX-001220-100L00
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