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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 6V |
Frequenz - Übergang | 12GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 1.5dB @ 2GHz |
gewinnen | 10dB |
Leistung - max. | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 75 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | TO-253-4, TO-253AA |
Lieferantengerätepaket | - |
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