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2N6792

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N-CHANNEL POWER MOSFET

2N6792 Technisches Datenblatt

nicht konform

2N6792 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
10903 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer TO-205AF Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G
$0 $/Stück
IXTA42N25P-TRL
IXTA42N25P-TRL
$0 $/Stück
IXFK26N120P
IXFK26N120P
$0 $/Stück
IRFP141
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$0 $/Stück
FQB11N40CTM
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