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FCP170N60

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MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

FCP170N60 Technisches Datenblatt

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FCP170N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.76540 $1412.32
1381 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 170mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2860 pF @ 380 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFH5250TRPBF
NVMFS5C460NT1G
NVMFS5C460NT1G
$0 $/Stück
FDN361BN
FDN361BN
$0 $/Stück
FDS6688
NVMFS5C420NLT1G
NVMFS5C420NLT1G
$0 $/Stück
RSR010N10TL
PMXB360ENEAZ

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