Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

SOT-23

nicht konform

FDB024N04AL7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.57173 $2057.384
30608 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 109 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIHP22N60E-GE3
DMN30H14DLY-13
FDU8896
NVTFS5124PLTAG
NVTFS5124PLTAG
$0 $/Stück
IXTQ14N60P
IXTQ14N60P
$0 $/Stück
NTE492
NTE492
$0 $/Stück
DMN33D8LTQ-13
NTE2946
NTE2946
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.