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FDB16AN08A0

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MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

FDB16AN08A0 Technisches Datenblatt

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FDB16AN08A0 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.35090 $1080.72
6786 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1857 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RD3L03BATTL1
FQPF7N10L
IXFA20N50P3
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$0 $/Stück
FQI2N90TU
SL3401A-TP
FQP85N06
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$0 $/Stück
SIHD3N50DT5-GE3
NTJS3151PT2G
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$0 $/Stück

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