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FDB6021P

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MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

FDB6021P Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB6021P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
21255 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1890 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APT32F120J
DMN6040SFDEQ-13
FDS8896
FDS8896
$0 $/Stück
STS7NF60L
STS7NF60L
$0 $/Stück
DMN6075SQ-7
NVMFS5C468NLWFAFT3G
NVMFS5C468NLWFAFT3G
$0 $/Stück
FDD8882
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$0 $/Stück
NDD60N550U1-35G
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$0 $/Stück
APT12031JFLL

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