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FDB6035L

FDB6035L

FDB6035L

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDB6035L Technisches Datenblatt

compliant

FDB6035L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.14000 $3.14
500 $3.1086 $1554.3
1000 $3.0772 $3077.2
1500 $3.0458 $4568.7
2000 $3.0144 $6028.8
2500 $2.983 $7457.5
800 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDS4675
FDS4675
$0 $/Stück
DMN2991UTQ-7
FDN359AN
FDN359AN
$0 $/Stück
AUIRFS3806
AUIRF1010ZL
APT34M60B
DMG2307L-7

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