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FDB8160-F085

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80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,

nicht konform

FDB8160-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.29000 $1.29
500 $1.2771 $638.55
1000 $1.2642 $1264.2
1500 $1.2513 $1876.95
2000 $1.2384 $2476.8
2500 $1.2255 $3063.75
9581 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 243 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11825 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 254W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN4R8-100YSEX
IXFH28N60P3
IXFH28N60P3
$0 $/Stück
TP90H050WS
TP90H050WS
$0 $/Stück
NTK3139PT5G
NTK3139PT5G
$0 $/Stück
APT50M50JLL
RSF014N03TL
PMPB23XNE,115
PMPB23XNE,115
$0 $/Stück
APT8011JLL
NTMFS4922NET1G
NTMFS4922NET1G
$0 $/Stück

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