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FDB8870

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MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

FDB8870 Technisches Datenblatt

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FDB8870 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.02861 $822.888
800 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

CSD17551Q3A
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C3M0160120D
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FCA22N60N
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IRFU9220PBF
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FQA6N90C-F109
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NVMFS5C450NLWFAFT1G
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IXFN210N30X3
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DMP2022LSSQ-13
AUIRFB8405

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