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FDC6302P

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

FDC6302P Technisches Datenblatt

nicht konform

FDC6302P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.23734 -
6,000 $0.22202 -
15,000 $0.20671 -
30,000 $0.19599 -
187026 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120mA
rds ein (max) @ id, vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.31nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11pF @ 10V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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Zugehörige Teilenummer

ZXMC3A17DN8TA
EFC6605R-TR
EFC6605R-TR
$0 $/Stück
NTHD3100CT1G
NTHD3100CT1G
$0 $/Stück
SI6562CDQ-T1-BE3
NTZD3154NT1G
NTZD3154NT1G
$0 $/Stück
ZXMN6A09DN8TA
DMP1046UFDB-7
RM4606S8
RM4606S8
$0 $/Stück

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