Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDD6606

FDD6606

FDD6606

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

FDD6606 Technisches Datenblatt

compliant

FDD6606 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
214667 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2400 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI2356DS-T1-BE3
DMN3200U-7
FQB9N50CFTM
NTP18N06LG
NTP18N06LG
$0 $/Stück
IRFB4115PBF
PMN30UNEX
PMN30UNEX
$0 $/Stück
IXFQ72N20X3
IXFQ72N20X3
$0 $/Stück
SIRC16DP-T1-RE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.