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FDD6670A_NL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6670A_NL Technisches Datenblatt

nicht konform

FDD6670A_NL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
1112 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta), 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1755 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

APT6025SVRG
IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
$0 $/Stück
R6007JNXC7G
CSD19531Q5AT
SIHB22N60ET5-GE3
IRFR3411TRPBF
ATP201-TL-H
ATP201-TL-H
$0 $/Stück
NDD60N745U1T4G
NDD60N745U1T4G
$0 $/Stück

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