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FDD6680AS

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MOSFET N-CH 30V 55A TO252

FDD6680AS Technisches Datenblatt

compliant

FDD6680AS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.46863 -
5,000 $0.44649 -
12,500 $0.43068 -
10485 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86252
FDMS86252
$0 $/Stück
MCQ12N10Y-TP
NTLJS2103PTAG
NTLJS2103PTAG
$0 $/Stück
FDBL9406L-F085
FDBL9406L-F085
$0 $/Stück
SQD40N10-25_GE3
STB46N60M6
STB46N60M6
$0 $/Stück
FDFMA2N028Z
FDFMA2N028Z
$0 $/Stück
SQD10N30-330H_4GE3

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