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FDD6692

FDD6692

FDD6692

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6692 Technisches Datenblatt

compliant

FDD6692 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
66982 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 54A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2164 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

UF3SC065040B7S
UF3SC065040B7S
$0 $/Stück
RS3L110ATTB1
RQ3E160ADTB
2N7002KW-TP
STW35N60DM2
CSD17578Q3AT
FDS2170N3
BSS123WQ-7-F

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