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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±8V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 435 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | MicroFET 2x2 Thin |
| Paket / Koffer | 6-UDFN Exposed Pad |
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