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FDFS6N303

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MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

FDFS6N303 Technisches Datenblatt

compliant

FDFS6N303 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
86405 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 15 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SI7615ADN-T1-GE3
5LN01SS-TL-H
5LN01SS-TL-H
$0 $/Stück
FCH041N60F
FCH041N60F
$0 $/Stück
BUK753R8-80E,127
BUK753R8-80E,127
$0 $/Stück
IXFT15N100Q3
IXFT15N100Q3
$0 $/Stück
IRF9620PBF
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$0 $/Stück
BTS121ANKSA1

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