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FDG312P

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MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

FDG312P Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG312P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.15686 -
6,000 $0.14674 -
15,000 $0.13662 -
30,000 $0.12954 -
75,000 $0.12880 -
214687 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 330 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

R6011KNXC7G
STB80N20M5
STB80N20M5
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FDMA8051L
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SIHF6N40D-E3
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NTR4003NT1G
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SI4435DY
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FQT13N06LTF
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FDS8882
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