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FDG330P

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MOSFET P-CH 12V 2A SC88

FDG330P Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG330P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
220501 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 477 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

IXFX40N90P
IXFX40N90P
$0 $/Stück
NTMFS4C025NT1G
NTMFS4C025NT1G
$0 $/Stück
RQ1E075XNTCR
BUK953R5-60E,127
BUK953R5-60E,127
$0 $/Stück
BUK9Y4R4-40E,115
IXTA300N04T2
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$0 $/Stück

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