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FDMC7664

FDMC7664

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDMC7664 Technisches Datenblatt

compliant

FDMC7664 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.53130 -
6,000 $0.50474 -
15,000 $0.48576 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.8A (Ta), 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 18.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4865 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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