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FDMD8900

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

FDMD8900 Technisches Datenblatt

compliant

FDMD8900 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.96852 -
15710 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A, 17A
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2605pF @ 15V
Leistung - max. 2.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 12-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 12-Power3.3x5
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Zugehörige Teilenummer

VEC2415-TL-W-Z
VEC2415-TL-W-Z
$0 $/Stück
RF1S630
RF1S630
$0 $/Stück
G33N03D3
G33N03D3
$0 $/Stück
FSS275-TL-E-SA
FSS275-TL-E-SA
$0 $/Stück
2SJ634-E
2SJ634-E
$0 $/Stück
DMC2990UDJQ-7
IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T
$0 $/Stück
DMN3032LFDBWQ-7

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