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FDMS0312S

FDMS0312S

FDMS0312S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

SOT-23

FDMS0312S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMS0312S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25781 -
6,000 $0.24098 -
15,000 $0.23256 -
30,000 $0.22797 -
3814 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2820 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF9520STRLPBF
RF4E110GNTR
FQD5N15TM
FQD5N15TM
$0 $/Stück
DMN10H099SK3-13
RSJ450N04TL
IRF740BPBF
IRF740BPBF
$0 $/Stück
BUK7E4R6-60E,127
BUK6E3R2-55C,127

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