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FDP86363-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3

nicht konform

FDP86363-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.54498 $2.54498
500 $2.5195302 $1259.7651
1000 $2.4940804 $2494.0804
1500 $2.4686306 $3702.9459
2000 $2.4431808 $4886.3616
2500 $2.417731 $6044.3275
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10000 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G
$0 $/Stück
R6515KNX3C16
STP120N4F6
STP120N4F6
$0 $/Stück
DMP2004K-7
DMP3026SFDF-13
NTMFS6H848NLT1G
NTMFS6H848NLT1G
$0 $/Stück
RQ6A045ZPTR
SI7880ADP-T1-GE3

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