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FDPC1002S

FDPC1002S

FDPC1002S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDPC1002S Technisches Datenblatt

compliant

FDPC1002S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
10941 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Leistung - max. 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket Powerclip-33
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