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FDS4895C

FDS4895C

FDS4895C

P-CHANNEL POWER MOSFET

FDS4895C Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS4895C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A, 4.4A
rds ein (max) @ id, vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 410pF @ 20V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SSD2025TF
FDS8958B_G
FDS8958B_G
$0 $/Stück
2N7002DWA-7
IRF7907PBF
DMC62D0SVQ-7
PMGD400UN,115
PMGD400UN,115
$0 $/Stück
NTJD2152PT4
NTJD2152PT4
$0 $/Stück
IRF7750GTRPBF
SP8M10FU6TB

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