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FDS8958

FDS8958

FDS8958

P-CHANNEL POWER MOSFET

FDS8958 Technisches Datenblatt

compliant

FDS8958 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A, 5A
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 789pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDW2521C
SI7214DN-T1-E3
STC5NF20V
STC5NF20V
$0 $/Stück
IRF9910TR
DMN2991UDJ
FDS6982AS_G
FDS6982AS_G
$0 $/Stück
SI7960DP-T1-GE3
ZXMC3A17DN8TC
SI4816DY-T1-E3
BSO303PNTMA1

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