Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 25 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 35A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 8.5mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 29 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1440 pF @ 13 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Paket / Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.