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FDZ663P

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FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA

FDZ663P Technisches Datenblatt

compliant

FDZ663P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
60000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 525 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-WLCSP (0.8x0.8)
Paket / Koffer 4-XFBGA, WLCSP
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Zugehörige Teilenummer

STL28N60DM2
HUF76121S3
HUF76121S3
$0 $/Stück
PSMN1R2-55SLHAX
NVTFWS8D1N08HTAG
NVTFWS8D1N08HTAG
$0 $/Stück
IXTF1N250
IXTF1N250
$0 $/Stück
SCT30N120D2
DMT3003LFGQ-7

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