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FGA30N65SMD

FGA30N65SMD

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

FGA30N65SMD Technisches Datenblatt

compliant

FGA30N65SMD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
450 $2.83533 $1275.8985
11102 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V
Strom - Kollektor (ic) (max) 60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm) 90 A
vce(ein) (max) @ vge, ic 2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max. 300 W
Schaltenergie 716µJ (on), 208µJ (off)
Eingabetyp Standard
Torgebühr 87 nC
td (ein/aus) bei 25°C 14ns/102ns
Testbedingung 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr) 35 ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN
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Zugehörige Teilenummer

HGTP15N50C1
HGTA32N60E2
HGT1S15N120C3S
IXG70IF1200NA
IXG70IF1200NA
$0 $/Stück
HGTP10N40F1D
NGTD13T65F2WP
NGTD13T65F2WP
$0 $/Stück
NGB8204ANT4G
NGB8204ANT4G
$0 $/Stück

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