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FQAF27N25

FQAF27N25

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FQAF27N25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQAF27N25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.25000 $1.25
500 $1.2375 $618.75
1000 $1.225 $1225
1500 $1.2125 $1818.75
2000 $1.2 $2400
2500 $1.1875 $2968.75
1440 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 95W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PF
Paket / Koffer TO-3P-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C646NLWFAFT1G
NVMFS5C646NLWFAFT1G
$0 $/Stück
FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
$0 $/Stück
FCB110N65F
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$0 $/Stück
NVMFS4C05NT3G
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$0 $/Stück
R6011END3TL1
FDPF18N50
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$0 $/Stück
630AT
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