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FQB5N50CTM

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

FQB5N50CTM Technisches Datenblatt

nicht konform

FQB5N50CTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.87925 $703.4
1,600 $0.79849 -
2,400 $0.74800 -
5,600 $0.71267 -
5870 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 625 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 73W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMT615MLFV-13
FQB44N10TM
FQB44N10TM
$0 $/Stück
RJ1L12CGNTLL
NTP30N06LG
NTP30N06LG
$0 $/Stück
STB34N65M5
STB34N65M5
$0 $/Stück
STB155N3LH6
FQA7N80
BUK9E08-55B,127
IXFK64N60P
IXFK64N60P
$0 $/Stück

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