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FQD20N06LETM

FQD20N06LETM

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MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

nicht konform

FQD20N06LETM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.31000 $0.31
500 $0.3069 $153.45
1000 $0.3038 $303.8
1500 $0.3007 $451.05
2000 $0.2976 $595.2
2500 $0.2945 $736.25
57088 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 665 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXTT8P50
IXTT8P50
$0 $/Stück
SCTWA10N120
SUD35N10-26P-BE3
NVMFS5C430NLWFAFT3G
NVMFS5C430NLWFAFT3G
$0 $/Stück
FQU2N100TU
FQU2N100TU
$0 $/Stück
CSD17510Q5A
CSD17510Q5A
$0 $/Stück
IRFH7914TRPBF

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