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FQD60N03LTM

FQD60N03LTM

FQD60N03LTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

FQD60N03LTM Technisches Datenblatt

compliant

FQD60N03LTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
10000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFR120TRRPBF
NTD85N02R-001
NTD85N02R-001
$0 $/Stück
SISS27ADN-T1-GE3
1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
$0 $/Stück
PMV50XNEAR
PMV50XNEAR
$0 $/Stück
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-E
$0 $/Stück
STD7LN80K5
STD7LN80K5
$0 $/Stück

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