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FQPF19N20

FQPF19N20

FQPF19N20

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

FQPF19N20 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF19N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.84408 -
12000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

EPC2019
EPC2019
$0 $/Stück
SIA4265EDJ-T1-GE3
STP7N95K3
STP7N95K3
$0 $/Stück
STD7NM60N
STD7NM60N
$0 $/Stück
NTLUS3A90PZTBG
NTLUS3A90PZTBG
$0 $/Stück
PMPB33XN,115
PMPB33XN,115
$0 $/Stück
BSC883N03MSG

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