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FQPF20N06

FQPF20N06

FQPF20N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FQPF20N06 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF20N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21100 $12.11
100 $0.95670 $95.67
500 $0.74196 $370.98
1,000 $0.58575 -
1124 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDD120AN15A0
FDD120AN15A0
$0 $/Stück
IXFK170N20P
IXFK170N20P
$0 $/Stück
STW27N60M2-EP
STB13N60M2
STB13N60M2
$0 $/Stück
NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1
$0 $/Stück
SI4156DY-T1-GE3

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