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FQPF33N10L

FQPF33N10L

FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FQPF33N10L Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF33N10L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
10 $1.67600 $16.76
100 $1.32490 $132.49
500 $1.02744 $513.72
1,000 $0.81114 -
18330 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1630 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMN034-100PS,127
FDFMJ2P023Z
STY145N65M5
SQ3418EV-T1_GE3
STP150N3LLH6
SSU1N50BTU
SQJ123ELP-T1_GE3
FQB19N20TM
FQB19N20TM
$0 $/Stück
RQ6E045BNTCR
2N7002ET7G
2N7002ET7G
$0 $/Stück

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