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FQPF4N50

FQPF4N50

FQPF4N50

MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F

FQPF4N50 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF4N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PMPB27EP,115
DMP3028LFDE-13
NTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2G
$0 $/Stück
CPH6337-TL-E
CPH6337-TL-E
$0 $/Stück
BUK7611-55A,118
SPD03N60S5XT
NTMFS1D7N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
$0 $/Stück
NTMS4920NR2G
NTMS4920NR2G
$0 $/Stück

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