Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FQS4900TF

FQS4900TF

FQS4900TF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FQS4900TF Technisches Datenblatt

nicht konform

FQS4900TF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.65803 -
36948 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V, 300V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.3A, 300mA
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.95V @ 20mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.1nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/Stück
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/Stück
DMG1016VQ-13
FDS8934A
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
SH8K12TB1
$0 $/Stück
FDMS7608S
FDMS7608S
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.