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FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

FW276-TL-2H Technisches Datenblatt

compliant

FW276-TL-2H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
2500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 10V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 450V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 700mA (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 12.1Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 55pF @ 20V
Leistung - max. 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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