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G3S12003C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI

G3S12003C Technisches Datenblatt

nicht konform

G3S12003C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.87000 $4.87
500 $4.8213 $2410.65
1000 $4.7726 $4772.6
1500 $4.7239 $7085.85
2000 $4.6752 $9350.4
2500 $4.6265 $11566.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 12A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 3 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 100 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 260pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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