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G3S12005C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI

G3S12005C Technisches Datenblatt

nicht konform

G3S12005C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 34A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 475pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

SS115-HF
SS115-HF
$0 $/Stück
S1GB-13-F
S1GB-13-F
$0 $/Stück
RBR3L40BTE25
PMEG45A10EPD146
PMEG45A10EPD146
$0 $/Stück
JANTX1N1204A
NTE5935
NTE5935
$0 $/Stück
US1M-AQ
US1M-AQ
$0 $/Stück
MR1128R
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$0 $/Stück

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