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G3S12005D

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI

G3S12005D Technisches Datenblatt

nicht konform

G3S12005D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 34A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 475pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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