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G3S12010BM

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

G3S12010BM Technisches Datenblatt

nicht konform

G3S12010BM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $15.80000 $15.8
500 $15.642 $7821
1000 $15.484 $15484
1500 $15.326 $22989
2000 $15.168 $30336
2500 $15.01 $37525
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) (pro Diode) 19.8A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247AB
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