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G3S12010H

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G3S12010H Technisches Datenblatt

nicht konform

G3S12010H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.36000 $18.36
500 $18.1764 $9088.2
1000 $17.9928 $17992.8
1500 $17.8092 $26713.8
2000 $17.6256 $35251.2
2500 $17.442 $43605
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 16.5A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 765pF @ 0V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220F
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

RBR1L60ATE25
RGP10M
RGP10M
$0 $/Stück
CDBQR00340
CDBQR00340
$0 $/Stück
EGP30G
EGP30G
$0 $/Stück
S3D30065D1
1N4937G-T
1N4937G-T
$0 $/Stück
R1800F
R1800F
$0 $/Stück

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