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G3S12010P

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G3S12010P Technisches Datenblatt

compliant

G3S12010P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $14.88000 $14.88
500 $14.7312 $7365.6
1000 $14.5824 $14582.4
1500 $14.4336 $21650.4
2000 $14.2848 $28569.6
2500 $14.136 $35340
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 37A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 110 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 765pF @ 0V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

GL34JR13
GL34JR13
$0 $/Stück
1N4148WT-7
1N5817-TP
1N5817-TP
$0 $/Stück
MBR140HW
MBR140HW
$0 $/Stück
CDBQR70
CDBQR70
$0 $/Stück
STTH10R04D
STTH10R04D
$0 $/Stück
ER1G-LTP
ER1G-LTP
$0 $/Stück
CDLL1A30
CDLL1A30
$0 $/Stück
FES1DE-7
FES1DE-7
$0 $/Stück

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